【巴士速递·移动情报站】根据韩国媒体BusinessKorea的报道，苹果正在考虑将iPhone 6和iPhone 6 Plus的NAND闪存构架从三阶储存单元（Triple-Level Cell，即TLC）改为多阶储存单元（Multi-Level Cell），即MLC），其主要原因就是前段时间曝出的NAND闪存引起的崩溃现象。

有趣的是，当初也是BusinessKorea最先报道了128GB iPhone 6 Plus因NAND故障而崩溃的消息，这家媒体还宣称苹果将会大规模召回iPhone 6 Plus，最终被证实为谣传。据了解，制造TLC型NAND闪存的公司是Anobit，这家公司在2011年被苹果收购。在iPhone 6和iPhone 6 Plus之前，苹果在iPhone产品线上所使用的闪存构架都是MLC。

MLC和TLC的最大区别是：采用TLC构架的闪存成本更低，而且其核心尺寸也更小，而这两个主要特性正好符合苹果的胃口。对于韩媒所说的TLC构架问题，Anobit方面已经有人进行了反驳，声称构架不同并不是造成iPhone 6 Plus崩溃的原因，不过Anobit并没有进一步对此事进行解释。

有开发者预测，苹果将会在iOS 8.1.1固件更新当中对NAND芯片进行优化以便解决上述的崩溃问题。