上周，MacRumors晒出了iPhone 7主板的正反面，并与前代产品进行了细致的比较。在对比了当前一代的产品裸板的空位之后，可知苹果已经放弃了高通的调制解调器模块，转而采用了英特尔的基带。当然，这也不能排除苹果会推出基于高通基带的iPhone 7/7 Plus电路板的可能(比如传闻中支持不同LTE频段的国际版基带)。

上图中似乎预留了英特尔基带的焊脚(尺寸上疑似英特尔官网上所述的XMM 7360)，因为它和高通的MDM9635差别很大(可以参考iFixit拆解的iPhone 6s裸板)。

根据收发器的尺寸规格，在英特尔参考设计中伴随该调制解调器的SMARTi 5 RF收发器，并没有出现在这块所谓的iPhone 7主板上，但也不排除苹果定制或未宣布的可能。(高通似乎仍会为苹果提供RF收发器)

尽管针脚上没有完全对应，其封装尺寸和背面布局仍与WTR3925相吻合，此外还有iPhone 6s/6s Plus上所使用的高通电源管理芯片。

靠近收发器的底部后方，我们见到了不少的变化。比如RF和音频/电池组件之间的金属隔离带从水平变成了垂直方向，音频功放和电池充电区域有所增加。

传闻中移除了耳机插孔的iPhone 7，苹果似乎会砍掉一组功放，但目前还不是很清楚到底会怎样。此前泄露的倒置屏幕排线，也暗示了电容式Home键的引入。

最后，A10 SoC在四边上都有一行为空(A9也是如此)，我们通常会在较大的芯片上(比如台式机CPU)见到，其主要是为了分隔开核心供电和信号。

当然这么做也带来了一些妥协，比如虽然A9的核心尺寸比A8小了点，但封装尺寸上又吃了亏。A10应该会沿用与A9相同的16nm FinFET工艺，但优化得当的话，晶体管的增加并不会带来封装尺寸上的大变化。