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疑似iPhone 7主板曝光:采用Intel调制解调器?

作者:王青  来源:网络   更新:2016-9-23 11:33:58  点击:  切换到繁體中文

 

上周,MacRumors晒出了iPhone 7主板的正反面,并与前代产品进行了细致的比较。在对比了当前一代的产品裸板的空位之后,可知苹果已经放弃了高通的调制解调器模块,转而采用了英特尔的基带。当然,这也不能排除苹果会推出基于高通基带的iPhone 7/7 Plus电路板的可能(比如传闻中支持不同LTE频段的国际版基带)。



上图中似乎预留了英特尔基带的焊脚(尺寸上疑似英特尔官网上所述的XMM 7360),因为它和高通的MDM9635差别很大(可以参考iFixit拆解的iPhone 6s裸板)。


根据收发器的尺寸规格,在英特尔参考设计中伴随该调制解调器的SMARTi 5 RF收发器,并没有出现在这块所谓的iPhone 7主板上,但也不排除苹果定制或未宣布的可能。(高通似乎仍会为苹果提供RF收发器)


尽管针脚上没有完全对应,其封装尺寸和背面布局仍与WTR3925相吻合,此外还有iPhone 6s/6s Plus上所使用的高通电源管理芯片。



靠近收发器的底部后方,我们见到了不少的变化。比如RF和音频/电池组件之间的金属隔离带从水平变成了垂直方向,音频功放和电池充电区域有所增加。


传闻中移除了耳机插孔的iPhone 7,苹果似乎会砍掉一组功放,但目前还不是很清楚到底会怎样。此前泄露的倒置屏幕排线,也暗示了电容式Home键的引入。



最后,A10 SoC在四边上都有一行为空(A9也是如此),我们通常会在较大的芯片上(比如台式机CPU)见到,其主要是为了分隔开核心供电和信号。


当然这么做也带来了一些妥协,比如虽然A9的核心尺寸比A8小了点,但封装尺寸上又吃了亏。A10应该会沿用与A9相同的16nm FinFET工艺,但优化得当的话,晶体管的增加并不会带来封装尺寸上的大变化。



 

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