在20号下午的投资者网络会议上，英特尔透露其将在明年下半年提供基于3D NAND的SSD产品，技术则是来自该公司与镁光 (Micron) 的闪存合资企业。据悉，其能够在单个MLC核心“平面”(2D) 上堆叠32层、共计256Gb (32GB) 的容量。如果采用3-bit(TLC) 方案，那么每单元的容量还可以进一步提升至384Gb (48GB)。

英特尔高管表示：3D NAND有望在接下来的几年时间里催生10TB级别的SSD产品，甚至封装厚度只有2mm的1TB存储，非常适合移动设备。他指出，3D技术的最大特色是可以在成本上有重大突破，不过英特尔可能不会亲自制造3D NAND，即使该公司有能力，但也只会在觉得有意义的时候才会自行生产。