第1页容量高达64GB 全球首款3D DDR4内存量产

三星日前发布，已经开始批量投产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条，采用三星自家先进的2xnm工艺，单条容量高达64GB，而TSV技术，是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连方式，可将多个芯片堆叠起来，提升容量和性能。三星在2010年的4xnm 8GB内存上就首次使用了TSV，2011年又完成了3xnm 32GB，现在是第一次用于DDR4。

这是主要面向服务器应用的RDIMM条子，上有多达36颗DDR4 DRAM内存颗粒，每一个都封装了4个4Gb(512MB) DDR4 DRAM芯片，单颗容量2GB，并采用三星先进的2xnm工艺制造，不过三星并未公布频率、电压等规格。