新华网东京６月１日电（记者乐绍延）为了掌握大容量存储器新技术，增强与韩国三星等公司的竞争能力，日本东芝和佳能两家公司决定联合研发高性能３Ｄ闪存，力争在２０１６年投入量产。

    ３Ｄ闪存是下一代闪存技术，相对于２Ｄ闪存技术，３Ｄ闪存把存储单元垂直叠加，可大幅提高存储器容量，但对制造工艺要求更高。２０１３年，三星推出一款１２８ＧＢ的３Ｄ闪存芯片，成为首家量产３Ｄ闪存的公司。

    据东芝公司官方网站披露，随着大数据时代到来，对能够存储大量数据的存储器的需求将急剧增加。为了在产业竞争中与韩国三星等公司抗衡，东芝决定与佳能公司合作，利用各自的技术优势联合研发。

    东芝生产３Ｄ闪存的新工厂预计将于２０１５年夏季竣工，计划从２０１６年开始批量生产３Ｄ闪存。