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日本东芝和佳能两家公司决定联合研发高性能3D闪存
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作者:未知 文章来源:人民网 点击数 更新时间:2014-6-20 6:34:46 文章录入:贯通日本语 责任编辑:贯通日本语 |
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新华网东京6月1日电(记者乐绍延)为了掌握大容量存储器新技术,增强与韩国三星等公司的竞争能力,日本东芝和佳能两家公司决定联合研发高性能3D闪存,力争在2016年投入量产。 3D闪存是下一代闪存技术,相对于2D闪存技术,3D闪存把存储单元垂直叠加,可大幅提高存储器容量,但对制造工艺要求更高。2013年,三星推出一款128GB的3D闪存芯片,成为首家量产3D闪存的公司。 据东芝公司官方网站披露,随着大数据时代到来,对能够存储大量数据的存储器的需求将急剧增加。为了在产业竞争中与韩国三星等公司抗衡,东芝决定与佳能公司合作,利用各自的技术优势联合研发。 东芝生产3D闪存的新工厂预计将于2015年夏季竣工,计划从2016年开始批量生产3D闪存。
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