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Intel的34nm NAND闪存工艺新款固态硬盘秋叶原上市

作者:未知  来源:路透   更新:2009-7-27 15:12:40  点击:  切换到繁體中文

 

 

英特尔硬盘: 34纳米X25-M固态硬盘 日本秋叶原开卖!

   据有关消息报道,Intel的34nm NAND闪存工艺新款固态硬盘发布才刚刚一天,就摆上了日本秋叶原的柜台,铺货速度令人惊叹。第一批34nm固态硬盘均为2.5寸规格的X25-M主流系列产品,容量还是80GB和160GB,其中前者编号SSDSA2MH080G2C1(其中的G2代表第二代),售价25800-26975日元,折合人民币约1880-1965元,后者编号SSDSA2MH160G2C1,售价48975-52980日元,折合人民币约3570-3860元(第一代上市之初高达7100-7500元)。

   秋叶原商家表示,新品首批货源规模有限,不少店面的80GB型号已经售罄,而且50nm工艺旧型号还有至少2.4万块的库存,急需消化。生产工艺的进步加上新版控制器和固件,34nm X25-M固态硬盘的性能有了不小的提升,比如读取延迟65微秒、写入延迟85微秒、4KB随机读取IOPS 35000、4KB随机写入6600(80GB)/8600(160GB)、抗冲击力1500G/0.5s,不过待机功耗增加到了75mW,负载功耗仍为150mW。持续读写速度指标仍然还是250MB/s和70MB/s,实测可达到246.5MB/s和84.11MB/s。


 

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