去年11月联合三星正式宣布了骁龙835后，高通今天在CES上公布了骁龙835的更多细节资料。

基本规格方面，骁龙835采用Big.Little八核心设计，Kryo 280 CPU，大核2.45GHz，小核1.9GHz ；Adreno 540 GPU（支持OpenGL ES 3.2,、完整OpenCL 2.0、Vulkan、DX12 ）集成X166 LTE基带 ，支持Cat.16下行/Cat.13上行；

此外还有，2x2 11ac MU-MIMO；802.11ad Wi-Fi（60GHz）；蓝牙5 ；Hexagon 682 DSP；双通道LP DDR4x-1866MHz ；导航支持GPS, GLONASS, 北斗, Galileo,QZSS；单镜3200万像素、双镜1600万像素，Spectra 180 ISP；支持录制4K 30FPS视频和播放4K 60帧视频（HDR 10）；Quick Charge 4；WCD9341音频解码，32-bit/384kHz；10nm FinFET工艺 。

高通此次将精力主要放在10nm加持下骁龙835的功耗表现上，性能比820提升了27%之多，但是功耗降低了25%（比801降低了50%），也就是平均每天多用2.5小时 。

同时，QC4.0快充比3.0快了20%，兼容USB Type-C标准，充电5分钟可用5小时。

高通表示，骁龙835的产品在上半年就能见到 ，目前三星、小米、华硕、LG等都虎视眈眈，坐等首发吧。