昨日台积电官方宣布，16nm FinFET Plus(简称16FF+)工艺已经开始风险性试产。16FF+是标准的16nm FinFET的增强版本，同样有立体晶体管技术在内，号称可比20nm SoC平面工艺性能提升最多40％，或者同频功耗降低最多50％。

16nm FinFET

台积电表示，该工艺已经在ARM 64位架构上通过了验证，Cortex-A57大核心能够跑到2.3GHz，Cortex-A53小核心则能做到75mw。更关键的是，良品率也正在稳步提升，同期技术成熟度相比台积电此前所有工艺也是最好的。台积电称，16FF+工艺将在11月底按计划通过全部可靠性验证，已有近60项客户芯片设计安排在2015年底前完成流片。

根据良品率和性能情况，台积电预计新工艺将在2015年7月左右开始大规模量产。Avago、飞思卡尔、LG、联发科、NVIDIA、瑞萨电子、Xilinx都站出来表达了对台积电16FF+工艺的支持，表明他们都正在准备相应的产品。

备注：FinFET称为鳍式场效晶体管(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。

编者评论：每一次工艺制程的升级都令我们精神一震，因为这意味着终端产品可以获得更强的性能及续航提升，足以改变整个行业的技术进步没有理由不令我们期待。